集成电路铜互连工艺中先进扩散阻挡层的研究(博士论文)

随着集成电路器件尺寸的持续缩小,互连延迟越来越成为制约集成电路发展的瓶颈问题。在32nm及以下技术节点,互连工艺中磁控溅射制备的Ta/TaN双层结构扩散阻挡层和铜籽晶层由于台阶覆盖特性不好将带来各种问题。为了降低互连线的电阻,必须在保证器件性能的同时,减小扩散阻挡层和籽晶层的厚度,而且两者必须在高深宽比结构中有非常好的台阶覆盖特性,因此迫切需要研究新型扩散阻挡层/黏附层材料和新型互连工艺,这是半导体发展路..